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理研の十倉氏とロームの中原氏が語り合う マルチフェロイックスとSiC/GaNが融合する未来
現在、日本の研究開発は弱体化傾向にある。日本の研究開発費（2023年）は米国、中国に続く第3位を維持しているものの、その伸び率は低迷しており、さらに論文数では中国、米国、インド、ドイツの後塵（こうじん）を拝しているからだ。研究成果は、次なるビジネスのタネである。タネがなければ、日本経済は新しいビジネスを生み出せず、ジリ貧に陥る危険性が高くなる。今後、日本の研究開発はどのような方向に進むべきなのか。理化学研究所（理研） 創発物性科学研究センターの十倉 好紀氏と、ローム 研究開発センターの中原 健氏が議論した。
GaNは電源業界のゲームチェンジャー デルタ電子とロームが次世代電源戦略を語り合う
GaNパワー半導体（GaN HEMT）は電源業界のゲームチェンジャーになる可能性を秘めている。極めて高い材料特性を生かすことで電力損失の低減と、小型軽量化による資源削減を同時に実現できるからだ。ただしGaN HEMTを使った電源設計には技術的な課題がまだ残されている。そこでDelta Electronics（デルタ電子）とロームはパートナーシップを結び、課題解決に乗り出した。両社はどのように課題を解決してGaN HEMTを普及させるのか。デルタ電子日本法人であるデルタ電子 代表取締役社長の華 健豪氏とローム LSI事業本部 電源LSI事業担当 パワーステージ商品開発部 部長の山口 雄平氏が対談した。
デルタ電子とロームが電源分野で提携した本当の狙い SiC/GaNパワー半導体で脱炭素とデジタル化を両立へ
現代社会には2つの大きなトレンドがある。それは脱炭素化（GX）とデジタル化（DX）だ。これらのトレンドを同時に推し進めるには電源技術とパワー半導体技術の進化と融合が欠かせない。これを目標に掲げ、世界最大の電源メーカーである台湾Delta Electronics（デルタ電子）とパワー半導体に注力するロームがパートナーシップを結んだ。電源技術とパワー半導体技術の将来はどうなるのか。デルタ電子 副会長の柯 子興氏とローム CTOの立石 哲夫氏に聞いた。
ロームCTO立石氏に訊く ついに始まる「GaNパワー半導体」実用化新市場の出現で日本企業に好機、起こすゲームチェンジ
貴重な電力をムダなく使い、蓄え、送る。そのために欠かせないのが「パワー半導体」だ。Si（シリコン）を使う従来の半導体に比べ、SiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）などの化合物半導体は電力ロスが圧倒的に少なく、電気自動車（EV）やデータセンターの電力マネジメントに革命を起こすと言われている。半導体大手のロームは、既にSiCで事業化に成功しているが、2022年にはGaNの量産体制を確立し、製品の提供を開始した。本記事ではロームCTOの立石哲夫氏に取材。日本の半導体戦略を踏まえたGaNパワー半導体の実用化がもたらす意義、ロームの新技術や今後の展望まで深掘りする。
新たな社会を創る新産業革命高効率化の技術が後押し
「第４次産業革命」の実現を目指す国家プロジェクト「Industrie 4.0（インダストリー4.0）」を推進するドイツ。ここで毎年開催される世界最大規模の産業見本市「ハノーバーメッセ」に2016年に初出展したロームで次世代パワーデバイスの事業を担当する伊野和英氏と、ドイツを代表する産業用部品/機器メーカーのフエニックス・コンタクトでIndustrie 4.0に関連するプロジェクトをリードするFrank クナフラ氏が、新たな産業革命の今後や、実現するための技術などについてハノーバーメッセの会場で議論した。